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簡要描述：IGBT雙脈沖測試平臺PT-1224該設(shè)備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試 品牌： 華科智源 名稱： 雙脈沖測試平臺 用途： 測試動態(tài)參數(shù)
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2024-01-29訪 問 量：1649產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,汽車,電氣 |
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IGBT雙脈沖測試平臺PT-1224特點：
1.1 原理簡述
雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測量過程中各 種動態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種 動態(tài)參數(shù)重要測量手段。同時也是功率元件驅(qū)動及保護電路參數(shù)調(diào)整和驗證的測量平臺。
1.2 原理框圖
IGBT雙脈沖測試平臺PT-1224主要作用
1、測試對比不同 IGBT 的參數(shù)；
2、評估驅(qū)動的功能和性能；
3、獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；
4、開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
5、評估二極管的反向恢復行為和安全余量；
6、IGBT 關(guān)斷時的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；
7、評估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；
8、測量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開發(fā)適配版。
電源范圍 | 0～1000VDC |
加熱范圍 | 室溫～200℃ |
測試電流 | 0～2400A |
負載電感 | 50uH\100uH\200uH\500uH （標配 2 種） |
脈寬調(diào)制范圍 | 5～400us |
脈寬顯示屏 | 4 寸 |
通過此設(shè)備與示波器連接測試項目
開通參數(shù) | 關(guān)斷參數(shù) | Frd 反向恢復參數(shù) |
開通最大尖峰電流 Ic-peak max | 關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max | 最大反向恢復電流 IRM |
開通時間 Ton | 關(guān)斷時間 Toff | 反向恢復損耗 Erec |
開通延遲 Td-on | 關(guān)斷延遲 Td-off | 反向恢復時間 Trr |
開通電壓變化率 dv/dt-on | 關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off | 反向恢復電荷 Qrr |
開通電流變化率 di/dt-on | 關(guān)斷電流變化率 di/dt-off | 反向恢復峰值功耗 Prr-peak |
開通電壓下降時間 tf-v-on | 關(guān)斷電壓上升時間 tr-v-off | 前沿電流變化率 di/dt-r |
開通電流上升時間 tr-i-on | 關(guān)斷電流下降時間 tf-i-off | 后沿電流變化率 di/dt-f |
開通損耗 Eon | Ic 拖尾電流值 It | 反向恢復電壓變化率 dv/dt-rr |
Ic 拖尾時間 Tt | 最大反向恢復尖峰電壓 Vrr-peak | |
關(guān)斷損耗 Eoff |
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