SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀HUSTEC-3000

• 品牌： 華科智源

• 名稱： SIC動態(tài)參數(shù)測試儀

• 型號： HUSTEC-3000

• 用途： SIC器件，MOS管， IGBT測試

功能及主要參數(shù)：
　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。
　　主要技術(shù)參數(shù)：
　　IGBT開關(guān)特性測試
　　開關(guān)時間測試條件
　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
　　負　　載：感性負載阻性負載可切換
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
　　

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀HUSTEC-3000參數(shù)
　　開通延遲td(on): 20nS -10uS     
　　上升時間tr:    20nS -10uS
　　開通能量Eon：  0.1-1000mJ                
　　關(guān)斷延遲時間td(off)：20 nS -10uS  
　　下降時間 tf： 20nS -10uS                   
　　關(guān)斷能量Eoff：0.1-1000mJ
　　二極管反向恢復(fù)特性測試
　　FRD測試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負載：感性負載可選
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　FRD測試參數(shù)
　　反向恢復(fù)時間trr：20nS -2uS
　　反向恢復(fù)電荷Qc：10nC~10uC；
　　反向恢復(fù)電流Irm：50A~1000A
　　反向恢復(fù)損耗Erec：0.1mJ～1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢
　　國內(nèi)能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數(shù)實施測試的設(shè)備。